В нашем подразделении мы занимаемся выпуском достаточно крупных схем Э3.
Традиционно, при использовании полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов) используются условные графические обозначения V1...V9 (см. прилагаемый рисунок) с возможностью ниболее удобной их ориентации при минимизации линий связей, изгибов и образования классического изображения функциональных узлов.
Существенная часть схемы выполняется с использованием матриц и сборок полупроводниковых (микросхем, содержащих 2...4...8 однотипных элементов), для которых совершенно нецелесообразно использовать типовые обозначения принятые, в первую очередь, для микросхем операционных усилителей или цифровой техники. Таким образом, долгое время мы использовали обозначения типа D2 и D5. Существенным плюсом данного типа обозначений является возможность легко "читать" схему и возможность поворачивать изображения этих УГО , располагая элементы так, как это принято, удобно и понятно на схеме.
С неокторых пор наш отдел нормоконтроля запретил использование таких обозначений, по причине того, что т.к. эти элементы являются микросхемами, то надо использовать обозначения D3 и D6, причем, выводы располагать только по левой и правой сторонам прямоугольника, "вход" -- слева, "выход" -- справа, хотя в аналоговых транзисторных схемах достаточно трудно принять термины входа и выхода и только с большой натяжкой и не во всех случаях можно назвать (управляющим) входом вывод базы транзистора.
Существенным недостатком таких схем стали: невозможность "чтения" схемы не имея перед собой описание цоколевки микросхем, типа и наименования конкретной микросхемы а также описания, например типа конкретного транзистора (n-p-n или p-n-p) входящего в данную сборку (отсутствие какого-то ни было заменителя "стрелки" УГО транзитора); перегруженность схемы избыточными изгибами линий связи (сравн. D3.2 и D2.2, D6.2 и D5.2)
Через некоторое время нами был найден один вариант выхода из такой ситуации: использвоание обозначений типа D4, D7, построенных по принципу: "*T", "*D" -- функция микросхемы (транзисторная и диодная сборка соответственно), ">" -- тип транзитора и включение диода, "E", "K" -- обозначение выводов эмиттера и коллектора соответственно (знак инверсии у вывода коллектора в данном случае показывает инверсию "выходного" сигнала относительно "управляющего" сигнала базы). Данные обознаения внесли некоторую ясность в схемы, однако не решили вторую из озвученных проблем -- не избавили от избыточных изгибов линий связи (см. D4.2, D7.2)
=====
В связи с вышеизложенным хотелось бы уточнить правомочность применения УГО типов D2, D5, для элемента "микросхема" и префикса позиционного обозначения "D...", а также получить дополнительные комментарии по изложенным вопросам.
Здравствуйте,
В нашем подразделении мы занимаемся выпуском достаточно крупных схем Э3.
Традиционно, при использовании полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов) используются условные графические обозначения V1...V9 (см. прилагаемый рисунок) с возможностью ниболее удобной их ориентации при минимизации линий связей, изгибов и образования классического изображения функциональных узлов.
Существенная часть схемы выполняется с использованием матриц и сборок полупроводниковых (микросхем, содержащих 2...4...8 однотипных элементов), для которых совершенно нецелесообразно использовать типовые обозначения принятые, в первую очередь, для микросхем операционных усилителей или цифровой техники. Таким образом, долгое время мы использовали обозначения типа D2 и D5. Существенным плюсом данного типа обозначений является возможность легко "читать" схему и возможность поворачивать изображения этих УГО , располагая элементы так, как это принято, удобно и понятно на схеме.
С неокторых пор наш отдел нормоконтроля запретил использование таких обозначений, по причине того, что т.к. эти элементы являются микросхемами, то надо использовать обозначения D3 и D6, причем, выводы располагать только по левой и правой сторонам прямоугольника, "вход" -- слева, "выход" -- справа, хотя в аналоговых транзисторных схемах достаточно трудно принять термины входа и выхода и только с большой натяжкой и не во всех случаях можно назвать (управляющим) входом вывод базы транзистора.
Существенным недостатком таких схем стали: невозможность "чтения" схемы не имея перед собой описание цоколевки микросхем, типа и наименования конкретной микросхемы а также описания, например типа конкретного транзистора (n-p-n или p-n-p) входящего в данную сборку (отсутствие какого-то ни было заменителя "стрелки" УГО транзитора); перегруженность схемы избыточными изгибами линий связи (сравн. D3.2 и D2.2, D6.2 и D5.2)
Через некоторое время нами был найден один вариант выхода из такой ситуации: использвоание обозначений типа D4, D7, построенных по принципу: "*T", "*D" -- функция микросхемы (транзисторная и диодная сборка соответственно), ">" -- тип транзитора и включение диода, "E", "K" -- обозначение выводов эмиттера и коллектора соответственно (знак инверсии у вывода коллектора в данном случае показывает инверсию "выходного" сигнала относительно "управляющего" сигнала базы). Данные обознаения внесли некоторую ясность в схемы, однако не решили вторую из озвученных проблем -- не избавили от избыточных изгибов линий связи (см. D4.2, D7.2)
=====
В связи с вышеизложенным хотелось бы уточнить правомочность применения УГО типов D2, D5, для элемента "микросхема" и префикса позиционного обозначения "D...", а также получить дополнительные комментарии по изложенным вопросам.
Адрес для связи: krllkzmn rambler ru
10 октября 2015 в 16:09